ข้อมูลผลงานวิจัยของคณาจารย์ คณะวิทยาศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

ชื่อผลงานวิจัย : การเคลือบด้วยลำโมเลกุลและการหาลักษณะเฉพาะของชั้นคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์ที่มีช่องว่างแถบพลังงานกว้างสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง
Library Call : 492239  
สถานที่ตั้งห้องสมุด : หอสมุดกลาง สำนักงานวิทยทรัพยาก
ตัวอย่างบทคัดย่อ : ได้เตรียมและศึกษากระบวนการนำไฟฟ้าผ่านรอยต่อของเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางที่มีโครงสร้างแบบ Mo/ Cu(In, Ga)Se?/CdS/ZnO โดยการวัดลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้า ทั้งแบบที่วัดในที่มืดและแบบที่ฉายแสงที่อุณหภูมิคงที่ที่อุณหภูมิห้องและที่ขึ้นกับอุณหภูมิ จากการวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าที่อุณหภูมิห้อง ได้ค่า แฟกเตอร์อุดมคติของไดโอด ความต้านทานอนุกรม และความหนาแน่นกระแสอิ่มตัว สอดคล้องกับกระบวนการนำไฟฟ้าผ่านรอยต่อของไดโอดทั่วไปที่มีกระบวนการรวมตัวในบริเวณปลอดพาหะแบบ Shockley-Read-Hall (SRH) การวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ที่ขึ้นกับอุณหภูมิพบว่านอกจากกระบวนการแบบการรวมตัว การทะลุผ่านได้มีบทบาทร่วมในกระบวนการนำไฟฟ้าผ่านรอยต่อที่อุณหภูมิต่ำด้วย การศึกษาผลของปริมาณสารเจือในชั้นกันชน (CdS) และผลของความเข้มแสงที่มีต่อลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ของเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประดิษฐ์ขึ้น จากการวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าในสภาวะต่างๆกันนี้ สามารถนำมาอธิบายกลไกการนำไฟฟ้าผ่านรอยต่อ และเขียนลักษณะแถบพลังงานที่เป็นไปได้สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางที่มีโครงสร้างแบบ Mo/ Cu(In, Ga)Se?/CdS/ZnO